半導體製程進入2奈米節點,GAA製程面臨挑戰,如新材料、需精密解析度監控以確保良率等。本設備以X光為基礎,穿透多層環繞式閘極結構,以原子級解析度監控關鍵尺寸,減少90%量測時間,為台灣自主開發之線上量測2nm製程關鍵尺寸設備, 2025年市場預計1.3億美元,年成長率達36.8%。